2SK209-BL(TE85L,F)
1.5V@100nA
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- 描述
- 特性:高正向传输导纳:|Yfs| = 15 mS(典型值),VDS = 10 V,VGS = 0。 高击穿电压:VGD_S =-30 V。 低噪声:NF = 1.0 dB(典型值),VDS = 10 V,ID = 0.5 mA,f = 1 kHz,RG = 1 kΩ。 高输入阻抗:IGSS =-1 nA(最大值),VGS =-30 V。 小封装。应用:音频频率低噪声放大器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK209-BL(TE85L,F)
- 商品编号
- C17194931
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.5V@100nA | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 漏源电流(Idss) | 14mA@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF@10V | |
| 工作温度 | - |
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