W25N01GVTBIT

3V 1G-BIT 串行 SPI NAND 闪存存储器，支持双/四 SPI、缓冲读取和连续读取

品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W25N01GVTBIT
商品编号: C17194668
商品封装: TFBGA-24(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	10uA
	擦写寿命	10万次
	功能特性	坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；写使能锁存；软件写保护功能
	ECC	有

商品概述

W25N01GV 是一款 3V 单层单元串行 NAND 闪存，容量为 1Gb，采用串行外设接口。该器件包含 1,024 个可擦除块，每个块大小为 128KB。每个块由 64 个页组成，每页大小为 2KB，并额外提供 64 字节的备用区域，用于纠错码、损耗均衡和坏块管理。该闪存支持标准、双路和四路 SPI 指令，时钟频率高达 104MHz，支持双倍数据速率，可实现高达 52MB/s 的连续数据传输速率。它提供两种读取模式：缓冲读取和连续读取。该器件采用 8 焊盘 WSON、16 引脚 SOIC 和 24 球 TFBGA 封装，工作温度范围为 -40℃ ~ +85℃。

商品特性

1Gb 串行 SLC NAND 闪存
串行外设接口
支持标准、双路和四路 SPI
时钟频率高达 104MHz，支持双倍数据速率
连续读取传输速率高达 52MB/s
支持缓冲读取和连续读取模式
每页 2KB + 64 字节备用区域
每块 128KB，共 1,024 个块
工作电压：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40℃ ~ +85℃
提供 8 焊盘 WSON、16 引脚 SOIC 和 24 球 TFBGA 封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	1Gbit
	接口类型	SPI
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	700us