- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 170V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 648W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
VRF2933(MP)是一款采用镀金工艺的硅N沟道射频功率晶体管,专为宽带商业应用而设计,可在不影响可靠性、耐用性或互调失真的前提下提供高功率和高增益。在部件编号末尾添加“MP”表示匹配对,即两个部件之间的VGS(TH)相匹配。
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 170 V
- 在30 MHz、50 V条件下,功率达300 W,典型增益为22 dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 提供匹配对产品(VRF2933MP)
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)能力达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 可替代SD2933高压器件
- 散热性能增强型封装
- 符合RoHS标准
应用领域
-宽带商业应用
- PRV6SAABBXB25502MA
- SPCM-900-51-BR1
- GCM2165G1H131JA16J
- MED5000
- FSLPB2
- SIT8208AI-2F-25E-38.000000T
- QTM252E-30.000MDM-T
- SIT8208AC-3F-25E-62.500000Y
- S1W0-2835408003-0000003S-0P006
- AAC20FSLN
- 660-013NF15R3.5-06-152-8
- SCRH125B-150
- 3QHM572C2.0-65.667
- 620AB028NF22L
- 20021621-00026C4LF
- NTE5703
- 516-038-000-262
- RCS2012F6194CS
- 09675157675
- 0907790002
- SIT9365AC-4E2-30N156.250000