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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 170V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 648W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
VRF3933是一款镀金硅n沟道射频功率晶体管，专为需要高功率和增益，同时不牺牲可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 增强耐用性,V(BR)DSS = 170 V
- 在30 MHz、50 V条件下,功率达300 W,典型增益为22 dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 提供匹配对产品(VRF2933MP)
- 在规定工作条件下,负载电压驻波比(VSWR)能力达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- 可替代SD2933高压器件
- 散热性能增强型封装
- 符合RoHS标准
应用领域
-宽带商业应用
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