商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,0.75A | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@20mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
适用于基站应用的400 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为716 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 器件可通过视频引线提供的电源电流工作
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计
- 较低的输出电容，可提高Doherty应用中的性能
- 去耦引线可改善视频带宽（典型值45 MHz）
- 专为低记忆效应设计，提供出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 针对鸥翼封装进行优化设计
- 符合关于限制有害物质（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 基站用射频功率放大器
- 716 MHz至960 MHz频率范围内的多载波应用
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