商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
适用于基站应用的400 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为716 MHz至960 MHz。
商品特性
-高功率增益-易于功率控制-出色的耐用性-安装底座上的源极无需直流隔离器,降低了共模电感。
应用领域
- 1030至1090 MHz频率范围的电子应用。
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