TK19A45D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:450V 电流:19A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK19A45D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C17193165
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS (ON) = 0.19 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 10 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 450 V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
相似推荐
其他推荐