TK19A45D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:450V 电流:19A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK19A45D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C17193165
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V,9.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 4V驱动。
- 单封装内含2个MOSFET的复合类型,便于高密度安装。
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