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SID1132KQ

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品牌名称: Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
商品型号: SID1132KQ
商品编号: C17193111
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

SID11x2KQ是一款采用eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。创新的固态绝缘体FluxLink技术提供了加强型电流隔离。8 A的峰值输出驱动电流使该产品无需任何额外有源元件即可驱动高达600 A（典型值）的IGBT和MOSFET。对于超出SID11x2KQ独立驱动能力的栅极驱动需求，可添加外部放大器（升压电路）。一个单极性隔离电压源可为栅极控制提供稳定的正电压和负电压。诸如具备高级软关断（ASSD）功能的短路保护（DESAT）、初级侧和次级侧欠压锁定（UVLO）以及具备温度和工艺补偿输出阻抗的轨到轨输出等附加特性，即使在恶劣条件下也能确保安全运行。控制器（PWM和故障）信号与5 V CMOS逻辑兼容，也可通过使用外部电阻分压器将其调整至15 V电平。

商品特性

分离输出，提供高达8 A的峰值驱动电流
集成FluxLink™技术，在初级侧和次级侧之间提供安全隔离
轨到轨稳定输出电压
次级侧采用单极性电源电压
适用于600 V / 650 V / 1200 V的IGBT和MOSFET开关
高达75 kHz的开关频率
低传播延迟时间260 ns
传播延迟抖动±5 ns
工作环境温度范围为 -40 ℃至125 ℃
高共模瞬态抗扰度
采用eSOP封装，爬电距离和电气间隙为9.5 mm
初级侧和次级侧欠压锁定（UVLO）保护及故障反馈
采用VCESAT监测的短路保护及故障反馈
高级软关断（ASSD）
100%产品局部放电测试
100%产品在6 kV RMS下进行1 s的高压测试
加强绝缘符合VDE 0884 - 10（待认证）
通过AEC Q - 100认证，达到汽车级1级标准
无卤且符合RoHS标准

应用领域

电动汽车动力系统
电动汽车车载充电器和充电站
高可靠性驱动器和逆变器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	1.3A
	拉电流(IOH)	2.6A

	属性	参数值
	工作电压	4.75V~5.25V
	上升时间(tr)	450ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	-40℃~+125℃