EMF6T2R
1个N沟道
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- EMF6T2R
- 商品编号
- C17192786
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
一款600 W的LDMOS射频功率晶体管，适用于400 MHz至900 MHz频率范围的雷达发射机和工业应用。
商品特性
- 单封装电源开关电路。
- 安装成本和面积可减半。
应用领域
- 电源管理电路
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