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EMF6T2R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

EMF6T2R

1个N沟道

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
EMF6T2R
商品编号
C17192786
商品封装
SOT-563(SOT-666)​
包装方式
编带
商品毛重
0.02356克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100mA
导通电阻(RDS(on))13Ω@2.5V,1mA
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V@100uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)13pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)9pF

商品概述

一款600 W的LDMOS射频功率晶体管,适用于400 MHz至900 MHz频率范围的雷达发射机和工业应用。

商品特性

  • 出色的坚固性(在所有相位下电压驻波比 ≥ 40:1)
  • 最佳的热性能和可靠性,热阻Rth(j - c) = 0.15 K / W
  • 高功率增益
  • 高效率
  • 内部输入匹配,实现高增益和最佳宽带运行
  • 出色的可靠性
  • 易于进行功率控制
  • 符合关于限制有害物质(RoHS)的2002/95/EC指令

应用领域

  • 用于400 MHz至900 MHz频率范围雷达发射机应用的功率放大器

数据手册PDF