IS43TR16512AL-15HBL
512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM
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- 描述
- IS43TR16512AL-15HBL是一款512Mx16 1.5V DDR3 SDRAM，支持高达933MHz的数据传输速率。具有8个内部bank，支持部分自刷新和自动预充电等功能。工作温度范围为-40°C至85°C。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43TR16512AL-15HBL
- 商品编号
- C17191885
- 商品封装
- LFBGA-96(10x14)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.261克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 667MHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该文档介绍了512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM的功能描述和上电初始化流程。上电初始化需对每个片选控制的存储区域按特定顺序操作，包括施加电源并保持RESET#低电平、等待RESET#释放后等待CKE激活、启动并稳定时钟、处理片内端接状态、等待特定时间后发出MRS命令加载模式寄存器等步骤。
商品特性
- 标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V， -0.067V
- 向后兼容1.5V
- 高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz
- 8个内部存储体用于并发操作
- 8n位预取架构
- 可编程CAS延迟
- 可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
- 基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
- 可编程突发长度：4和8
- 可编程突发序列：顺序或交错
- 动态突发长度切换
- 自动自刷新（ASR）
- 自刷新温度（SRT）
- 部分阵列自刷新
- 异步复位引脚
- 片外驱动器阻抗调整（OCD）
- 动态片内端接（ODT）
- 驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω）
- 写均衡
- DLL关闭模式下高达200 MHz
- 工作温度：商业级（TC = 0°C至 +95°C）；工业级（TC = -40°C至 +95°C）；汽车级A1（TC = -40°C至 +95°C）；汽车级A2（TC = -40°C至 +105°C）