商品参数
参数完善中
商品特性
- 集成双通道射频前端2级LNA和高功率SPDT开关
- 片上偏置和匹配
- 单电源工作
- 增益
- 高增益模式：2.3 GHz时典型值为35 dB
- 低增益模式：2.3 GHz时典型值为17 dB
- 低噪声系数
- 高增益模式：2.3 GHz时典型值为1.4 dB
- 低增益模式：2.3 GHz时典型值为1.4 dB
- 高隔离度
- RxOUT-ChA与RxOUT-ChB之间：典型值为50 dB
- TERM-ChA与TERM-ChB之间：典型值为62 dB
- 低插入损耗：2.3 GHz时典型值为0.6 dB
- 高功率处理能力（Tc = 105℃）
- 全寿命LTE平均功率（9 dB PAR）：40 dBm
- 单次事件< 10秒操作的LTE平均功率（9 dB PAR）：43 dBm
- 高OIP3：典型值为32 dBm
- LNA的掉电模式和低增益模式
- 低供电电流
- 高增益模式：5V时典型值为85 mA
- 低增益模式：5V时典型值为35 mA
- 掉电模式：5V时典型值为12 mA
- 正逻辑控制
- 6 mm x 6 mm，40引脚LFCSP
应用领域
- 无线基础设施
- TDD大规模多输入多输出（MIMO）和有源天线系统
- 基于TDD的通信系统
优惠活动
购买数量
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总价金额：
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