SLG59M1614V
超小型、8.5 mΩ、4 A内部保护集成电源开关
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- 描述
- 是高性能8.5mΩ 4A单通道nFET集成电源开关,可在2.5V至5.5VDD电源下运行,以切换低至0.85V至电源电压的电源轨。集成了两级过载电流保护、热关断保护和浪涌电流控制,可通过小的外部电容器轻松调节。采用专有MOSFET设计,在宽输入电压范围内实现稳定的8.5mΩ RDS(ON)。此外,其封装采用先进组装技术,具有低热阻,适用于大电流运行。在-40°C至85°C温度范围内完全指定,采用节省空间、低热阻、符合RoHS标准的1.5mm×2.0mm STDFN封装。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- SLG59M1614V
- 商品编号
- C17189738
- 商品封装
- DFN-8(1.5x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115789克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | - | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | - | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 4A | |
| 导通电阻 | 7.8mΩ | |
| 功能特性 | 短路保护;输出放电功能;软启动;过温保护;过流保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
SLG59M1614V是一款高性能的8.5毫欧、4安单通道nFET集成电源开关,可在2.5伏至5.5伏的VDD电源下工作,能切换低至0.85伏到电源电压的电源轨。该开关集成了两级过载电流保护、热关断保护和浪涌电流控制功能,可通过一个小的外部电容轻松调节。采用专有的MOSFET设计,SLG59M1614V在较宽的输入电压范围内实现了稳定的8.5毫欧导通电阻。此外,使用Dialog先进的组装技术,该开关的封装在大电流工作时也具有低热阻。SLG59M1614V在-40摄氏度至85摄氏度的温度范围内完全规格化,采用节省空间、低热阻、符合RoHS标准的1.5毫米x 2.0毫米STDFN封装。
商品特性
- 1.5 x 2.0毫米FC - TDFN 8引脚封装(漏极2个融合引脚,源极2个融合引脚)
- 逻辑电平导通引脚,支持0.85伏CMOS逻辑
- 用户可通过外部电容选择斜坡速率
- 支持4安电流时导通电阻为8.5毫欧
- 关断时对负载放电
- 两种过流保护模式
- 短路电流限制
- 有源电流限制
- 过温保护
- 无铅/无卤素/符合RoHS标准
- 工作温度:-40摄氏度至85摄氏度
- 工作电压:2.5伏至5.5伏
应用领域
- 笔记本电脑电源轨切换
- 平板电脑电源轨切换
- 智能手机电源轨切换
- 154763-E
- SIT8208AC-3F-25E-33.333300T
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- SC104-561
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- SG-8018CG 56.7500M-TJHSA0
- SG-8018CG 1.4850M-TJHPA0
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- LTMM-104-02-L-D-RA


