PSMN3R5-25MLD,115

采用LFPAK33封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率下的高效应用。

• 超低的QG、QGD和QOSS,可实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
• 具有软恢复功能的超快开关;s因子 > 1
• 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
• 独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;在25°C时漏电流 < 1 μA,具备类肖特基性能
• 针对4.5 V栅极驱动进行优化
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性的夹片键合和焊片连接Mini Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下工作
• 外露引脚便于进行最佳的目视焊接检查

• 服务器和电信的板载DC:DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
• 有刷和无刷电机控制