商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅和1个二极管 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 150mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
NTE系列功率模块采用行业标准封装，提供四个电路，可单独使用或作为功率控制构建模块。所有型号均具备高效的热管理功能，可大大延长循环寿命。
商品特性
- 行业标准封装和电路，可作为功率控制构建模块
- 每个器件的平均输出电流（Tc = +85°C）：NTE5710、NTE5711为55A，NTE5720、NTE5721为90A
- 重复峰值反向电压（交流线路）VRRM为1200V（480V）
- 最大电压降VF：NTE5710、NTE5711（lF = 165A）为1.4V，NTE5720、NTE5721（lF = 270A）为1.4V
- 导通状态电流的临界上升率（TJ = +125°C）di/dt为100A/μs
- 关断状态电压的临界上升率（TJ = +125°C）dv/dt为500V/μs
- 最大非重复浪涌电流（1/2周期，60Hz）ITSM：NTE5710、NTE5711为1500A，NTE5720、NTE5721为1950A
- 熔断的最大I²t（t = 8.3ms）：NTE5710、NTE5711为9350A²sec，NTE5720、NTE5721为15800A²sec
- 触发所需的最大栅极电流（+25°C）IGT为150mA
- 触发所需的最大栅极电压（+25°C）VGT为3.0V
- 平均栅极功率PG(AV)为500mW
- 最大峰值栅极电压（反向）VGM为5.0V
- 隔离电压VISOL为2500VRMS
- 工作结温范围TJ为 -40°C至 +125°C
- 每个模块的最大热阻，结到基板RthJC：NTE5710、NTE5711为0.25°C/W，NTE5720、NTE5721为0.14°C/W
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