BXL4004-1EX

这些逻辑电平N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。

• 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 0.01Ω。
• 75A、50V。在VGS = 5V时，RDS(ON) = 0.013Ω。
• 驱动要求低，可直接由逻辑驱动器驱动。VGS(TH) < 2.0V。
• 规定了高温下的关键直流电气参数。
• 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 最高结温额定值为175°C。
• 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
• 提供TO - 220和TO - 263 (D²PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。