商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 8V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- BCS-124-LM-S-PE-BE
- XPEBWT-L1-R250-00E50
- SIT8208AI-8F-28E-31.250000T
- LCAXN500-12-6
- 480-10-224-00-001000
- EHT-107-01-F-D-SR
- SG-8101CG 20.0025M-TCHPA0
- 25QHM53C0.25-66.3552
- EHT-107-01-F-D-SM
- DAM15PNMF225
- XPGDWT-H1-0000-00J2E
- K42S60A
- TPS25942EVM-635
- 732-8002-01
- SIT1602BC-31-18E-18.432000
- SIT1602AI-73-33E-12.000000
- SG-8018CB 3.5840M-TJHSA0
- XPGWHT-L1-0000-00F53
- SIT8208AC-31-25E-3.570000
- 832-40-040-30-052000
- 25QHM572D4.0-162.000


