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MCMNP2065-TP
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：Trench FET结构。 高密单元设计，极低的RDS(ON)。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无卤，“绿色”器件。 无铅涂层，符合RoHS标准。 湿度敏感度等级1
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCMNP2065-TP
- 商品编号
- C17184287
- 商品封装
- DFN2020-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
适用于基站应用的60 W LDMOS封装对称功率晶体管，工作频率范围为400 MHz至1000 MHz。
商品特性
- 易于功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计（400 MHz至1000 MHz）
应用领域
- 用于400 MHz至1000 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
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