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如今的移动设备比以往任何时候都更智能，旗舰智能手机中人工智能的出现推动了对更先进存储解决方案的需求，以便更快、更高效地访问数据。美光创新的64层三级单元（TLC）3D NAND技术解决了存储性能挑战，它能提供所需的速度和功能，且容量比上一代NAND技术更高。通过采用CMOS under Array（CuA）技术，新的移动NAND产品在更小的管芯面积内封装了更多存储单元，为32GB管芯提供了业内最小的物理尺寸。

• 高性能：与平面NAND相比，3D NAND增强的性能特性和UFS产品的超快速接口可显著提高性能。
• 增强的可靠性：3D NAND采用经过验证的浮栅单元架构，提供更好的质量和可靠性。
• 高容量：与上一代TLC 3D NAND相同封装尺寸下，存储密度翻倍。
• 电源效率：美光的峰值功率管理功能可显著降低峰值功耗。
• 小尺寸：采用世界上最小的3D NAND管芯之一，非常适合超小尺寸设备。
• 行业领先的写入性能：提供40,000 IOPS的随机写入，64层TLC 3D NAND产品比上一代TLC 3D NAND快50%。
• UFS 2.1高速3档接口：与e.MMC 5.1相比，带宽提高200%；使用命令队列技术同时读写命令。
• 4K读取模式：提高随机读取性能。
• 采用峰值功率管理系统，显著降低智能手机中的内存峰值功耗。
• 美光独特的浮栅技术与竞争对手使用的电荷陷阱栅极相比，具有卓越的数据保留能力。

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