- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品概述
一款600 W LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机应用和工业应用。该器件出色的坚固性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 出色的坚固性(在所有相位下电压驻波比 ≥ 40 : 1)
- 最佳的热性能和可靠性,热阻Rth(j - c) = 0.15 K / W
- 适用于连续波超高频和工业、科学和医疗(ISM)频段应用
- 高功率增益
- 高效率
- 专为宽带操作设计(470 MHz至860 MHz)
- 内部输入匹配,实现高增益和最佳宽带操作
- 出色的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》(RoHS)2002/95/EC
应用领域
-超高频频段通信发射机应用-超高频频段工业应用
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- DB-25P-A191-K87
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