商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- DL50-N2228
- XPGDWT-U1-0000-00FDV
- 1-745968-4
- SG-8018CA 1.1200M-TJHSA0
- 32-2900BU
- BC847C/AU,215
- 620HS042XM13
- 2841.0/100
- SIT8209AI-82-25E-166.666660
- 510MBAM100000AAGR
- PL9221T
- 3QHM572C0.25-71.901
- B512FSE-2T-YEB
- 1N4436FT
- XEGAWT-H0-0000-000-00000HU365G
- 620AS028Z110L-62F
- SG-8018CE 22.2880M-TJHSA0
- SIT9365AC-1B1-33N200.000000
- IPD1-16-D-K-M
- S15GLW RVG
- SIT8208AI-3F-33E-65.000000Y