商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 140A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 6.2nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT 4技术
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 软恢复并联二极管
- 低二极管正向电压
- 低漏电流
- 有反向偏置安全工作区（RBSOA）和短路安全工作区（SCSOA）额定值
- 对称设计
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引线框架
- 高集成度
- 内置用于温度监测的热敏电阻
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电机控制
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