商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 204A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.36kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 23nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
这些P沟道增强型VDMOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻，且符合RoHS标准。
商品特性
-低浪涌、低开关损耗。-可实现高速开关。-降低温度依赖性。
应用领域
-电机驱动-逆变器、转换器-光伏、风力发电-感应加热设备
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