商品参数
参数完善中
商品概述
HMC6505A是一款紧凑型砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC）上变频器，采用符合RoHS标准的封装，工作频率范围为5.5 GHz至8.6 GHz。该器件提供15 dB的小信号转换增益，边带抑制为22 dBc。HMC6505A采用可变增益放大器（VGA），其前端是一个由有源本地振荡器（LO）驱动的同相和正交（I/Q）混频器。提供IF1和IF2混频器输入，需要一个外部90°混合器来选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构减少了对不需要边带进行滤波的需求。HMC6505A是混合式单边带（SSB）上变频器组件的小型替代方案，它允许使用表面贴装制造技术，从而无需进行引线键合。 HMC6505A采用5 mm×5 mm、32引脚无引线芯片载体（LCC）封装，工作温度范围为-40℃至+85℃。如需，还可提供HMC6505A的评估板。
商品特性
- 典型转换增益：15 dB
- 典型边带抑制：22 dBc
- 最大增益时的输出P1dB压缩点：典型值22 dBm
- 最大增益时的输出IP3：典型值35 dBm
- LO到RF的隔离度：典型值4 dB
- LO到IF的隔离度：典型值9 dB
- RF回波损耗：典型值20 dB
- LO回波损耗：典型值10 dB
- IF回波损耗：典型值20 dB
- 外露焊盘，5 mm×5 mm，32引脚无引线芯片载体封装
应用领域
- 点对点和点对多点无线电
- 卫星通信
- 传感器