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DH045N06P
1个N沟道 耐压:60V 电流:115A
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- 品牌名称
- WXDH(东海半导体)
- 商品型号
- DH045N06P
- 商品编号
- C17179515
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 172W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率VDMOSFET采用先进的沟槽技术设计，具备出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 低开关损耗
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 100% ΔVDS测试
应用领域
- 功率开关应用
- 逆变器管理系统
- 电动工具
- DC-DC转换器