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DHS044N12U
1个N沟道 耐压:120V 电流:270A
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- 描述
- 这款N沟道增强型功率MOSFET采用先进的分裂栅沟槽技术，可同时实现出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷。该产品符合RoHS标准。
- 品牌名称
- WXDH(东海半导体)
- 商品型号
- DHS044N12U
- 商品编号
- C17179512
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.592nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.011nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET