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DH060N03R-B26
1个N沟道 耐压:30V 电流:54A
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- 品牌名称
- WXDH(东海半导体)
- 商品型号
- DH060N03R-B26
- 商品编号
- C17179511
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这些N沟道增强型VDMOSFET采用先进的沟槽技术设计,具备出色的导通电阻(Rdson)和低栅极电荷,符合RoHS标准。
商品特性
- 低开关损耗
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 100% ΔVDS测试
应用领域
-功率开关应用-直流-直流转换器-电动工具-同步整流器-逆变器管理系统