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JMTK50N06B
N沟道增强型功率MOSFET
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- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTK50N06B
- 商品编号
- C17179449
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4772克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- -30V/-15A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) = 6.8 mΩ（最大值）
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 13 mΩ（最大值）
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
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- PT204-6B(BY)(J)
- PT908-7C(BIN5)
- IR928-6C/MA(XBY)
- PT334-6C(BY)(L)
- IR333-A(BY)(Q)
- PT334-6B(BY)(M)
- PT908-7C/MA(XBY)