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NTR2101PT1G
1个P沟道 耐压:8V 电流:3.7A
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- 描述
- 这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR2101PT1G
- 商品编号
- C168745
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@1.8V,2.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.173nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 218pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 289pF |
商品特性
- 采用领先的沟槽技术，实现低导通电阻RDS(on)
- 额定电压为 -1.8 V，适用于低电压栅极驱动
- 采用SOT - 23表面贴装封装，占位面积小（3 x 3 mm）
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 高端负载开关
- DC - DC转换
- 手机、笔记本电脑、个人数字助理（PDA）等