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HGQ024N04A
硅 N沟道 功率 MOSFET
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- 描述
- HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- HGQ024N04A
- 商品编号
- C1693660
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.20286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 134A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.25mΩ@4.5V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.162nF |
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