温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTGD1100LT1G

带电平转换功能的功率MOSFET负载开关停产

描述: NTGD1100L在单个封装中集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P沟道器件采用安森美半导体的先进沟槽技术专门设计为负载开关
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTGD1100LT1G
商品编号: C165457
商品封装: TSOP-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036克(g)

商品参数

商品概述

NTGD1100L在单个封装中集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P沟道器件采用安森美半导体的先进沟槽技术，专门设计用作负载开关。N沟道器件与一个外部电阻（R1）配合，用作电平转换器来驱动P沟道器件。N沟道MOSFET具有内部ESD保护功能，可由低至1.5 V的逻辑信号驱动。NTGD1100L在1.8至8.0 V的电源线上工作，当VIN和VON/OFF均施加8.0 V电压时，可驱动高达3.3 A的负载。

商品特性

极低RDS(on)负载开关MOSFET
电平转换MOSFET具有ESD保护
薄型、小尺寸封装
VIN范围为1.8至8.0 V
ON/OFF范围为1.5至8.0 V
ESD额定值为2000 V
这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册PDF

放大查看下载PDF

交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 50 个)

个

起订量：50 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	负载开关
	通道数	1
	输入控制逻辑	高电平有效

	属性	参数值
	最大连续电流	3.3A
	工作电压	1.8V~8V
	导通电阻	40mΩ
	工作温度	-55℃~+150℃