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NTGD1100LT1G
停产 8V ±3.3A带电平转换的P沟道负载开关功率MOSFET
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- 描述
- NTGD1100L在单个封装中集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P沟道器件采用安森美半导体的先进沟槽技术专门设计为负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGD1100LT1G
- 商品编号
- C165457
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 负载开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 3.3A | |
| 工作电压 | 1.8V~8V | |
| 导通电阻 | 40mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTGD1100L在单个封装中集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P沟道器件采用安森美半导体的先进沟槽技术，专门设计用作负载开关。N沟道器件与一个外部电阻（R1）配合，用作电平转换器来驱动P沟道器件。N沟道MOSFET具有内部ESD保护功能，可由低至1.5 V的逻辑信号驱动。NTGD1100L在1.8至8.0 V的电源线上工作，当VIN和VON/OFF均施加8.0 V电压时，可驱动高达3.3 A的负载。
商品特性
- 极低RDS(on)负载开关MOSFET
- 电平转换MOSFET具有ESD保护
- 薄型、小尺寸封装
- VIN范围为1.8至8.0 V
- ON/OFF范围为1.5至8.0 V
- ESD额定值为2000 V
- 这些器件无铅且符合RoHS标准