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SI3460DV实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI3460DV

N沟道 耐压:20V 电流:7A

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描述
特性:VDS = 20V, ID = 7A,RDS(ON) 23mΩ 典型值 @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) 28mΩ 典型值 @ VGS = 4.5V。应用:负载/电源开关。 接口开关
商品型号
SI3460DV
商品编号
C16197297
商品封装
SOD-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.0352克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.31nF@15V
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

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