CL10B104KA8NNNL

多层陶瓷电容器，电容值100nF，电压25V，容差±10%，温度特性X7R，封装尺寸0603

• 可靠性测试条件可由相应的加速测试条件替代
• 推荐回流焊接方法（回流峰值温度：260 +0 / -5℃，最长10秒）
• 包装设计遵循IEC 60286 - 3标准
• 电容测量建议根据文档中指定的电压和频率进行，对于不同型号MLCC的电容测量电压/频率条件，需遵循文档中“C. 可靠性测试条件 - 电容”部分
• 建议使用带有ALC（自动电平控制）选项的测量设备
• 高介电常数（II类）MLCC的电容值会随施加的交流和直流电压变化
• 电容符合EIA RS - 198 - 1 - F - 2002标准
• 理想MLCC的能量损耗为零，但实际MLCC存在介电损耗和电极电阻损耗，DF（损耗因数）定义为损耗能量与存储能量之比，通常以百分比计算
• 品质因数（Q因数）定义为存储能量与损耗能量之比，公式为1/DF，I类MLCC通常用Q表示损耗特性，II类MLCC用DF表示
• 对于需要良好线性和低损耗的应用，如耦合电路、滤波电路和时间常数电路，建议使用I类MLCC