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IRF840SPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4的芯片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF840SPBF
- 商品编号
- C157614
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V,4.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
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