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VND7NV04TR-E
全自保护功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VND7NV04TR-E
- 商品编号
- C155605
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 0V~5V | |
| 导通电阻 | 60mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP) |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 低导通电阻RDS(on)和品质因数FOM
- 低反向传输电容Crss
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和均匀性
- 潮湿敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD 保护
- 直接连接功率 MOSFET 的栅极(模拟驱动)
- 符合 2002/95/EC 欧洲指令,与标准功率 MOSFET 兼容
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用