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VND7NV04TR-E

全自保护功率MOSFET

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描述
OMNIFET II:全自动保护功率MOSFET
商品型号
VND7NV04TR-E
商品编号
C155605
商品封装
TO-252-2(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.475克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型高侧开关
通道数1
输入控制逻辑高电平有效
最大连续电流6A
属性参数值
工作电压0V~5V
导通电阻60mΩ
工作温度-40℃~+150℃
特性过热保护(OTP);过压保护(OVP);短路保护(SCP)

商品概述

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 低导通电阻RDS(on)和品质因数FOM
  • 低反向传输电容Crss
  • 极低的开关损耗
  • 出色的稳定性和均匀性
  • 潮湿敏感度等级1级
  • 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 无卤

商品特性

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 低导通电阻RDS(on)和品质因数FOM
  • 低反向传输电容Crss
  • 极低的开关损耗
  • 出色的稳定性和均匀性
  • 潮湿敏感度等级1级
  • 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 无卤

应用领域

  • DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用

数据手册PDF