PI3DDR4212NME
PI3DDR4212NME
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- PI3DDR4212NME
- 商品编号
- C1557032
- 商品封装
- TFBGA-48(3x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 工作电压 | 1.8V;2.5V;3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 7Ω | |
| 带宽 | 6GHz | |
| 传播延迟(tpd) | 70ps |
商品概述
这款12位DDR3/DDR4开关专为1.8V/2.5V/3.3V电源电压、POD_12、SSTL_12和SSTL_15信号以及CMOS选择输入信号而设计。它适用于速度高达5Gbps的DDR3或DDR4内存总线,支持DDR4 1600~4266 Mbps的传输速率。 PI3DDR4212具有1:2解复用或2:1复用拓扑结构。通过SEL输入,所有2位通道可同时切换到两个端口之一。该器件还允许断开所有端口。 PI3DDR4212采用了Pericom专有的高速开关技术,可在所有通道上提供一致的高带宽,插入损耗、串扰和位间偏斜极小。 它采用48引脚TFBGA 3x8x1mm封装。48引脚版本与CBTU24DD2/CBTV24DD2引脚兼容。
商品特性
- 12位2:1开关,支持DDR3 800~2133Mbps、DDR4 1600~4266 Mbps
- VDD为1.8V/2.5V/3.3V
- 直连引脚选项,便于布局
- SEL和全局使能
- 禁用或未选中时,通道输出为高阻抗和低Coff
- 低RON:典型值7Ω
- 3dB带宽:典型值6GHz
- 低插入损耗:2GHz时典型值为 -1dB
- 低回波损耗:2GHz时典型值为 -24dB
- 高速通道低串扰:2GHz时典型值为 -19dB
- 低关断隔离:2GHz时典型值为 -20dB
- 低传播延迟:典型值70ps
- 6位间最大位间偏斜8ps
- ESD:2KV HBM
- POD_12、SSTL_12和SSTL_15信号
- 封装(无铅环保)
- 48引脚TFBGA(3x8x1mm),与CBTV24DD12引脚兼容
应用领域
- DDR4内存总线系统
- NVDIMM模块
- 闪存阵列子系统
- 高速复用
优惠活动
购买数量
(364个/托盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个364个/托盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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