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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PI3DDR4212NME

PI3DDR4212NME

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
PI3DDR4212NME
商品编号
C1557032
商品封装
TFBGA-48(3x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录模拟开关/多路复用器
开关电路2:1
工作电压1.8V;2.5V;3.3V
属性参数值
导通电阻(Ron)
带宽6GHz
传播延迟(tpd)70ps

商品概述

这款12位DDR3/DDR4开关专为1.8V/2.5V/3.3V电源电压、POD_12、SSTL_12和SSTL_15信号以及CMOS选择输入信号而设计。它适用于速度高达5Gbps的DDR3或DDR4内存总线,支持DDR4 1600~4266 Mbps的传输速率。 PI3DDR4212具有1:2解复用或2:1复用拓扑结构。通过SEL输入,所有2位通道可同时切换到两个端口之一。该器件还允许断开所有端口。 PI3DDR4212采用了Pericom专有的高速开关技术,可在所有通道上提供一致的高带宽,插入损耗、串扰和位间偏斜极小。 它采用48引脚TFBGA 3x8x1mm封装。48引脚版本与CBTU24DD2/CBTV24DD2引脚兼容。

商品特性

  • 12位2:1开关,支持DDR3 800~2133Mbps、DDR4 1600~4266 Mbps
  • VDD为1.8V/2.5V/3.3V
  • 直连引脚选项,便于布局
  • SEL和全局使能
  • 禁用或未选中时,通道输出为高阻抗和低Coff
  • 低RON:典型值7Ω
  • 3dB带宽:典型值6GHz
  • 低插入损耗:2GHz时典型值为 -1dB
  • 低回波损耗:2GHz时典型值为 -24dB
  • 高速通道低串扰:2GHz时典型值为 -19dB
  • 低关断隔离:2GHz时典型值为 -20dB
  • 低传播延迟:典型值70ps
  • 6位间最大位间偏斜8ps
  • ESD:2KV HBM
  • POD_12、SSTL_12和SSTL_15信号
  • 封装(无铅环保)
  • 48引脚TFBGA(3x8x1mm),与CBTV24DD12引脚兼容

应用领域

  • DDR4内存总线系统
  • NVDIMM模块
  • 闪存阵列子系统
  • 高速复用

数据手册PDF

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