TPS2024D

TPS202x系列电源分配开关适用于可能遇到重容性负载和短路的应用场景。这些器件是导通电阻为50 mΩ的N沟道MOSFET高端电源开关。该开关由一个与5 V逻辑和3 V逻辑兼容的逻辑使能端控制。栅极驱动由一个内部电荷泵提供，该电荷泵旨在控制电源开关的上升时间和下降时间，以最大限度地减少开关过程中的电流浪涌。电荷泵无需外部元件，允许低至2.7 V的电源供电。

当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，TPS202x通过切换到恒流模式将输出电流限制在安全水平，并将过流（OC）逻辑输出拉低。当持续的重过载和短路增加开关中的功耗，导致结温升高时，热保护电路会关闭开关以防止损坏。一旦器件充分冷却，热关断状态会自动恢复。内部电路确保在有有效输入电压之前开关保持关闭状态。

TPS202x器件仅在短路电流阈值上有所不同。TPS2020在0.3 A负载时限流，TPS2021在0.9 A负载时限流，TPS2022在1.5 A负载时限流，TPS2023在2.2 A负载时限流，TPS2024在3 A负载时限流。TPS202x采用8引脚小外形集成电路（SOIC）封装和8引脚双列直插式封装（DIP），工作结温范围为 -40℃至125℃。

电源开关是一个N沟道MOSFET，最大导通电阻为50 mΩ（VIN = 5 V）。作为高端开关配置，当禁用时，电源开关可防止电流从OUT流向IN以及从IN流向OUT。

内部电荷泵为驱动电路供电，并提供必要的电压将MOSFET的栅极电压拉高至源极电压之上。电荷泵可在低至2.7 V的输入电压下工作，且仅需非常小的电源电流。

驱动器控制电源开关的栅极电压。为了限制大电流浪涌并减少相关的电磁干扰（EMI），驱动器内置了控制输出电压上升时间和下降时间的电路。上升和下降时间通常在2 ms至9 ms范围内。

当EN端为逻辑高电平时，逻辑使能端会禁用电源开关、电荷泵、驱动器和其他电路的偏置，从而将电源电流降至小于10 μA。EN端输入逻辑低电平时，会恢复驱动和控制电路的偏置并开启电源。使能输入与TTL和CMOS逻辑电平均兼容。

当遇到过流或过温情况时，OC开漏输出置位（低电平有效）。输出保持置位状态，直到过流或过温情况消除。

检测FET监测提供给负载的电流。检测FET比传统的电阻方法更有效地测量电流。当遇到过载或短路时，电流检测电路会向驱动器发送控制信号。驱动器进而降低栅极电压，使功率FET进入饱和区，从而将输出切换到恒流模式，并在改变负载电压的同时保持电流恒定。

当结温升至约140℃时，内部热检测电路会关闭电源开关。热检测电路内置了迟滞功能。器件冷却约20℃后，开关会重新开启。开关会持续循环关断和开启，直到故障消除。

电压检测电路监测输入电压。当输入电压低于约2 V时，控制信号会关闭电源开关。

• 符合UL认证 - 文件编号E169910
• 33 mΩ（5 V输入）高端MOSFET开关
• 短路和热保护
• 过流逻辑输出
• 工作范围：2.7 V至5.5 V
• 逻辑电平使能输入
• 典型上升时间：6.1 ms
• 欠压锁定
• 最大待机电源电流：10 μA
• 无漏源背栅二极管
• 提供8引脚SOIC和PDIP封装
• 环境温度范围：-40℃至85℃
• 2 kV人体模型、200 V机器模型ESD保护