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UCC21530QDWKQ1实物图
  • UCC21530QDWKQ1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC21530QDWKQ1

UCC21530QDWKQ1

描述
适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的汽车类 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21530QDWKQ1
商品编号
C1549559
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.34克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品概述

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET,具有出色的传播延迟和脉宽失真度。 输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。 该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。 此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。

商品特性

  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级,器件 HBM ESD 分类等级 H2,器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 功能安全质量管理型
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
  • 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
  • 19ns 典型传播延迟
  • 10ns 最小脉冲宽度
  • 5ns 最大延迟匹配
  • 6ns 最大脉宽失真
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离层寿命 >40 年
  • 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
  • 8V 和 12V VDD UVLO 选项
  • 可编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 工作温度范围: -40°C 至 +125°C
  • 安全相关认证:符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000V_PK 隔离;符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离;符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证;符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证

应用领域

  • HEV 和 BEV 电池充电器
  • 太阳能串式和中央逆变器
  • 交流/直流和直流/直流充电桩
  • 交流逆变器和伺服驱动器
  • 交流/直流和直流/直流电力输送
  • 能量存储系统

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/管

总价金额:

0.00

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