UCC21530QDWKQ1
UCC21530QDWKQ1
- 描述
- 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的汽车类 5.7kVrms、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21530QDWKQ1
- 商品编号
- C1549559
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET,具有出色的传播延迟和脉宽失真度。 输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。 该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。 此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。
商品特性
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级,器件 HBM ESD 分类等级 H2,器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型
- 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 宽体 SOIC-14 (DWK) 封装
- 驱动器通道之间的间距为 3.3mm
- 19ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 隔离层寿命 >40 年
- 4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 8V 和 12V VDD UVLO 选项
- 可编程的重叠和死区时间
- 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
- 工作温度范围: -40°C 至 +125°C
- 安全相关认证:符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000V_PK 隔离;符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离;符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证;符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证
应用领域
- HEV 和 BEV 电池充电器
- 太阳能串式和中央逆变器
- 交流/直流和直流/直流充电桩
- 交流逆变器和伺服驱动器
- 交流/直流和直流/直流电力输送
- 能量存储系统
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
