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TN0110N3-G实物图
TN0110N3-G商品缩略图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TN0110N3-G

1个N沟道 耐压:100V 电流:350mA

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  • PCB免费打样
品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
商品型号
TN0110N3-G
商品编号
C145749
商品封装
TO-92-3
包装方式
袋装
商品毛重
0.241克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)350mA
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V,500mA
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))2V@0.5mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)60pF
反向传输电容(Crss)8pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)35pF

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