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TN2106K1-G
1个N沟道 耐压:60V 电流:280mA
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN2106K1-G
- 商品编号
- C145707
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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