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LND01K1-G实物图
LND01K1-G商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

LND01K1-G

1个N沟道 耐压:9V 电流:330mA

    品牌名称
    MICROCHIP(美国微芯)
    商品型号
    LND01K1-G
    商品编号
    C145615
    商品封装
    SOT-23-5
    包装方式
    编带
    商品毛重
    0.043克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    数量1个N沟道
    漏源电压(Vdss)650V
    连续漏极电流(Id)330mA
    导通电阻(RDS(on))1.4Ω@0V,100mA
    耗散功率(Pd)360mW
    阈值电压(Vgs(th))-
    属性参数值
    栅极电荷量(Qg)-
    输入电容(Ciss)-
    反向传输电容(Crss)-
    工作温度-25℃~+125℃
    类型N沟道
    输出电容(Coss)-

    数据手册PDF

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