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NCV1413BDR2G
高压大电流达林顿晶体管阵列
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- 描述
- 这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 MC1413，B 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV1413BDR2G
- 商品编号
- C138393
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.298克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 通道数 | 七路 | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 集电极漏电流(Icex) | 50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电流(on) | 1.35mA | |
| 输入电流(off) | 100uA | |
| 正向压降(Vf) | 1.5V | |
| 输入电容(Ci) | 15pF |
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