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LMUN5316DW1T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LMUN5316DW1T1G

双偏置电阻晶体管

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描述
BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。在系列中,两个互补的BRT器件封装在SOT-363封装中,这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用是理想的。
商品型号
LMUN5316DW1T1G
商品编号
C136187
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量-
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)250mW
属性参数值
直流电流增益(hFE)160@5.0mA,10V
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻4.7kΩ
电阻比率-
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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