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IRF530PBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:14A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于所有功率耗散水平约达50 W的商业 - 工业应用，TO - 220AB封装是普遍首选。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF530PBF
- 商品编号
- C134160
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,8.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
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