IS49RL18320-093EBLI
IS49RL18320-093EBLI
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- 描述
- 576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达1066MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS49RL18320-093EBLI
- 商品编号
- C1352940
- 商品封装
- FBGA-168
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) | |
| 存储器构架(格式) | RLDRAM | |
| 存储容量 | 576Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.28V~1.42V | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | DRAM |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 1.066GHz |
| 存储容量 | 576Mb（32M x 18） |
| 访问时间 | 8ns |
| 封装/外壳 | 168-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 供应商器件封装 | 168-FC（LF）BGA（13.5x13.5） |
| 写周期时间-字，页 | - |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 1.28V ~ 1.42V |
优惠活动
购买数量
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