IS49RL18320-093EBLI
IS49RL18320-093EBLI
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- 描述
- 576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备,设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构,优化了持续高速操作。支持DDR操作,最高频率可达1066MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49RL18320-093EBLI
- 商品编号
- C1352940
- 商品封装
- FBGA-168
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) | |
| 存储器构架(格式) | RLDRAM | |
| 存储容量 | 576Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.28V~1.42V | |
| 功能特性 | 内置DLL;硬件复位功能;JTAG边界扫描功能 | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
- IS49NLC36800-33WBLI
- IS49RL36160-107EBL
- IS49RL18320-107EBL
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- IS49RL18320-125EBLI
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- IS49NLC36800-25EWBLI
- IS49NLS93200-33WBLI
- IS49RL18320-107BL
- IS49RL36160-125EBL
- IS49RL36160-107BLI
- IS49RL18320-125EBL
- IS49NLC18160-33WBLI
- IS49RL36160-093EBL
- IS49RL18320-093EBL
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- IS49NLC36800-33WBLI
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- AT28C256-20UM/883-815
- 71V30L35TFGI
- AS7C1024B-20TJCN
- IS64WV51216EDBLL-10CTLA3
- IS61LPS12836A-250TQL
- IS64WV10248EDBLL-10CTLA3
- IS61NLP12836B-200TQLI
- IS61QDB451236A-250M3L
- 71V67603S133BGGI
- IS61NLP25618A-200TQLI
- IS61LPD51236A-200TQLI
- IS61QDB251236A-250M3L
- IS61LF25618A-7.5TQLI
- S70GL02GT12FHAV10
- IS61QDB21M18A-250M3L
- IS61DDB451236A-250M3L
- IS61LPS25618A-200TQLI

