71024S20YG
71024S20YG
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- 描述
- 1,048,576-Bit高速静态RAM,组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL,工作电压为5V。完全静态异步电路,无需时钟或刷新即可运行。适用于商业(0°C至+70°C)和工业(-40°C至+85°C)温度范围。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71024S20YG
- 商品编号
- C1351795
- 商品封装
- SOJ-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 20ns | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
- 71V35761SA166BGG
- 71256SA20TPGI
- IS42SM32200M-75BLI
- 47C04-E/P
- IS42S32800J-75EBL
- 47L04-E/P
- IS43R32800D-5BLI
- DS1225AB-70IND+
- AS7C4098A-15JIN
- AS7C32098A-15TIN
- IS65C1024AL-45TLA3
- IS43TR16128C-15HBL
- IS43TR16128CL-15HBLI
- AS7C32096A-20TIN
- IS61WV25616EDBLL-8TLI
- 93LC76C-I/SN
- AS7C4096A-12TIN
- MT41K64M16TW-107 AAT:J
- AS8C403625-QC75N
- IS46R16160F-6BLA2
- IS46DR16640C-25DBLA2

