IS43LR32640A-5BLI
IS43LR32640A 5BLI
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- 描述
- IS43LR32640A是一款2,147,483,648位CMOS移动双数据速率同步DRAM，组织为4个banks，每个banks包含33,554,432个字x32位。该产品使用双数据率架构实现高速操作。数据输入/输出信号通过32位总线传输。双数据率架构本质上是一个2n预取架构，设计用于在I/O球上每时钟周期传输两个数据字。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43LR32640A-5BLI
- 商品编号
- C1351750
- 商品封装
- WBGA-90(8x13)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR | |
| 时钟频率(fc) | 200MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 190mA | |
| 刷新电流 | 3.5mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | SDRAM - DDR |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 200MHz |
| 存储容量 | 2Gb（64M x 32） |
| 访问时间 | 5ns |
| 封装/外壳 | 90-LFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 供应商器件封装 | 90-WBGA（8x13） |
| 写周期时间-字，页 | 15ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 1.7V ~ 1.95V |
优惠活动
购买数量
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