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IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
IS66WVC4M16ECLL 7010BLI
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- 描述
- CellularRAM产品是为低功耗、便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心设备组织为4兆x 16位。该设备是行业标准闪存控制接口的一种变体，与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品相比，显著提高了读写带宽。为了在突发闪存总线上无缝运行，CellularRAM产品采用了透明的自刷新机制。隐藏刷新不需要系统内存控制器的额外支持，并且对设备的读写性能没有显著影响。两个用户可访问的控制寄存器定义设备操作
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
- 商品编号
- C1351632
- 商品封装
- VFBGA-54(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | PSRAM(伪静态) | |
| 接口类型 | -；- | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 工作电压 | - | |
| 工作电流 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 180uA | |
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 内置温度传感器；部分阵列刷新；刷新冲突指示；内置自动刷新逻辑；自动掉电功能；温度补偿刷新；内置电压传感器 |