IS62WV25616BLL-55BLI

IS62WV25616BLL 55BLI

描述

高速、低功耗的4M位SRAM，由256K字x16位组成。采用高性能CMOS技术制造，这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，使器件具有高性能和低功耗的特点。当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。

品牌名称

ISSI(美国芯成)

商品型号

IS62WV25616BLL-55BLI

商品编号

C1351412

商品封装

TFBGA-48(6x8)​

包装方式

托盘

商品毛重

0.001克(g)