CY62256NLL-70SNXC
CY62256NLL 70SNXC
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- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- CY62256NLL-70SNXC
- 商品编号
- C1349989
- 商品封装
- SOIC-28-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,其组织结构为32K字×8位。它通过低电平有效的片选和输出使能信号以及三态驱动器,便于进行存储器容量扩展。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可将功耗降低99.9%。写入/读取操作由低电平有效的写使能信号控制。当片选和写使能均为低电平时,数据通过八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)写入由地址引脚(A0至A14)寻址的存储单元。读取操作通过选中器件并启用输出(片选和输出使能为低电平)来实现,同时写使能保持无效或高电平。在此条件下,由地址引脚信息寻址的单元内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非芯片被选中、输出被使能且写使能为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻抗状态。
商品特性
- 提供多种温度范围:商用级0°C至+70°C,工业级-40°C至+85°C,汽车级-A -40°C至+85°C,汽车级-E -40°C至+125°C
- 高速访问时间:55纳秒
- 工作电压范围:4.5伏至5.5伏
- 低工作功耗:最大275毫瓦
- 低待机功耗(LL版本):最大82.5微瓦
- 采用CMOS技术,实现速度与功耗的优化平衡
- 提供无铅和非无铅的28引脚PDIP、窄体SOIC、TSOP I及反向TSOP I封装
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