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CY62256NLL-70SNXC引脚图
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CY62256NLL-70SNXC

CY62256NLL 70SNXC

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品牌名称
Alliance Memory
商品型号
CY62256NLL-70SNXC
商品编号
C1349989
商品封装
SOIC-28-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流50mA
待机电流5uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62256N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,其组织结构为32K字×8位。它通过低电平有效的片选和输出使能信号以及三态驱动器,便于进行存储器容量扩展。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可将功耗降低99.9%。写入/读取操作由低电平有效的写使能信号控制。当片选和写使能均为低电平时,数据通过八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)写入由地址引脚(A0至A14)寻址的存储单元。读取操作通过选中器件并启用输出(片选和输出使能为低电平)来实现,同时写使能保持无效或高电平。在此条件下,由地址引脚信息寻址的单元内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非芯片被选中、输出被使能且写使能为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻抗状态。

商品特性

  • 提供多种温度范围:商用级0°C至+70°C,工业级-40°C至+85°C,汽车级-A -40°C至+85°C,汽车级-E -40°C至+125°C
  • 高速访问时间:55纳秒
  • 工作电压范围:4.5伏至5.5伏
  • 低工作功耗:最大275毫瓦
  • 低待机功耗(LL版本):最大82.5微瓦
  • 采用CMOS技术,实现速度与功耗的优化平衡
  • 提供无铅和非无铅的28引脚PDIP、窄体SOIC、TSOP I及反向TSOP I封装

数据手册PDF