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FM25L04B-DG
FM25L04B DG
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- 描述
- 采用先进铁电工艺的4Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品能以总线速度执行写操作，无写延迟
- 商品型号
- FM25L04B-DG
- 商品编号
- C1348910
- 商品封装
- DFN-8-EP(4x4.5)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Kbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作电流 | 3mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 待机电流 | 6uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 100000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | FRAM（铁电体 RAM） |
| 存储器格式 | FRAM |
| 时钟频率 | 20MHz |
| 供应商器件封装 | 8-TDFN (4x4.5) |
| 存储容量 | 4Kb（512 x 8） |
| 写周期时间-字，页 | - |
| 电压-供电 | 2.7V ~ 3.6V |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个162个/管
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