C8051F509-IM

该芯片具有以下特点：

• 12位ADC：最高200ksps采样率，最多32个外部单端输入，参考电压可来自片上VREF、外部引脚或VDD，转换源可选择内部或外部，内置温度传感器。
• 两个比较器：可编程迟滞和响应时间，可配置为中断或复位源，低电流。
• 片上调试：片上调试电路可实现全速、非侵入式的系统内调试（无需仿真器），提供断点、单步执行、检查/修改内存和寄存器功能，性能优于使用ICE芯片、目标扩展板和插座的仿真系统，开发套件成本低。
• 电源电压：1.8至5.25V。典型工作电流：50MHz时为19mA；典型停止模式电流：2μA。
• 高速8051微控制器核心：采用流水线指令架构，70%的指令在1或2个系统时钟内执行，50MHz时钟下最高吞吐量达50MIPS，扩展了中断处理程序。
• 内存：4352字节内部数据RAM（256 + 4096 XRAM），64或32kB闪存，可在系统内以512字节扇区进行编程。
• 数字外设：40、33或25个端口I/O，均支持5V；CAN 2.0控制器，无需晶体；LIN 2.1控制器（支持主从模式），无需晶体；硬件增强型UART、SMBus和增强型SPI串行端口；四个通用16位计数器/定时器；16位可编程计数器阵列（PCA），带有六个捕获/比较模块和增强型PWM功能。
• 时钟源：内部24MHz时钟，精度为±0.5%，适用于CAN和主LIN操作；外部振荡器可选择晶体、RC、C或时钟（1或2引脚模式），可实时切换时钟源，在节能模式下很有用。
• 封装：48引脚QFP/QFN（C8051F500/1/4/5）、40引脚QFN（C8051F508/9 - F510/1）、32引脚QFP/QFN（C8051F502/3/6/7）。
• 汽车级认证：温度范围为 -40至 +125°C，符合AEC - Q100标准。

• 12位ADC最高采样率可达200ksps。
• 最多有32个外部单端输入。
• 参考电压可来自片上VREF、外部引脚或VDD。
• 转换源可选择内部或外部。
• 内置温度传感器。
• 两个比较器可编程迟滞和响应时间。
• 比较器可配置为中断或复位源。
• 比较器低电流。
• 片上调试电路可实现全速、非侵入式系统内调试。
• 提供断点、单步执行、检查/修改内存和寄存器功能。
• 性能优于使用ICE芯片、目标扩展板和插座的仿真系统。
• 开发套件成本低。
• 电源电压范围为1.8至5.25V。
• 50MHz时典型工作电流为19mA。
• 典型停止模式电流为2μA。
• 采用流水线指令架构，70%的指令在1或2个系统时钟内执行。
• 50MHz时钟下最高吞吐量达50MIPS。
• 扩展了中断处理程序。
• 有4352字节内部数据RAM（256 + 4096 XRAM）。
• 有64或32kB闪存，可在系统内以512字节扇区进行编程。
• 有40、33或25个端口I/O，均支持5V。
• CAN 2.0控制器无需晶体。
• LIN 2.1控制器（支持主从模式）无需晶体。
• 具备硬件增强型UART、SMBus和增强型SPI串行端口。
• 有四个通用16位计数器/定时器。
• 16位可编程计数器阵列（PCA）带有六个捕获/比较模块和增强型PWM功能。
• 内部24MHz时钟精度为±0.5%，适用于CAN和主LIN操作。
• 外部振荡器可选择晶体、RC、C或时钟（1或2引脚模式）。
• 可实时切换时钟源。
• 温度范围为 -40至 +125°C，符合AEC - Q100标准。