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MK60DN512VMD10
MK60DN512VMD10
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- 描述
- 特性：电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105℃。高达100MHz ARM Cortex-M4内核，带DSP指令，每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。非FlexMemory设备上高达512KB程序闪存。FlexMemory设备上高达256KB程序闪存
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MK60DN512VMD10
- 商品编号
- C1337420
- 商品封装
- MAPBGA-144
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | ARM Cortex-M4 | |
| CPU最大主频 | 100MHz | |
| CPU位数 | 32 Bit | |
| 程序存储容量 | 512KB | |
| 程序存储器类型 | FLASH | |
| RAM容量 | 128KB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| EEPROM容量 | - | |
| I/O数量 | 100 | |
| ADC(位数) | 16bit | |
| DAC(位数) | 12bit | |
| 振荡器类型 | 内置 | |
| 工作电压 | 1.71V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品特性
- 电压范围：1.71 至 3.6V
- 闪存写入电压范围：1.71 至 3.6V
- 温度范围（环境）：-40 至 105°C
- 高达 100MHz ARM Cortex - M4 内核，带 DSP 指令，每 MHz 提供 1.25 Dhrystone MIPS
- 非 FlexMemory 设备上高达 512KB 程序闪存
- FlexMemory 设备上高达 256KB 程序闪存
- FlexMemory 设备上高达 256KB FlexNVM
- FlexMemory 设备上 4KB FlexRAM
- 高达 128KB RAM
- 串行编程接口（EzPort）
- FlexBus 外部总线接口
- 3 至 32MHz 晶体振荡器
- 32kHz 晶体振荡器
- 多功能时钟发生器
- 多种低功耗模式，可根据应用需求进行电源优化
- 带多主保护的内存保护单元
- 16 通道 DMA 控制器，支持多达 63 个请求源
- 外部看门狗监视器
- 软件看门狗
- 低泄漏唤醒单元
- 硬件 CRC 模块，支持快速循环冗余校验
- 硬件随机数生成器
- 支持 DES、3DES、AES、MD5、SHA - 1 和 SHA - 256 算法的硬件加密
- 每个芯片有 128 位唯一标识（ID）号
- 低功耗硬件触摸传感器接口（TSI）
- 通用输入/输出
- 两个 16 位 SAR ADC
- 集成到每个 ADC 的可编程增益放大器（PGA）（高达 x64）
- 两个 12 位 DAC
- 两个跨阻放大器
- 三个包含 6 位 DAC 和可编程参考输入的模拟比较器（CMP）
- 电压参考
- 可编程延迟块
- 八通道电机控制/通用/PWM 定时器
- 两个 2 通道正交解码器/通用定时器
- IEEE 1588 定时器
- 周期性中断定时器
- 16 位低功耗定时器
- 载波调制器发射器
- 实时时钟
- 带 MII 和 RMII 接口到外部 PHY 以及硬件 IEEE 1588 功能的以太网控制器
- 带片上收发器的 USB 全速/低速 On - the - Go 控制器
- 两个控制器局域网（CAN）模块
- 三个 SPI 模块
- 两个 I2C 模块
- 六个 UART 模块
- 安全数字主机控制器（SDHC）
- I2S 模块
优惠活动
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